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中国电动车芯片冲破国外封锁!比亚迪放出憋了13年大招(2)

咪哚网(www.midoo.cc)时间:2018-12-12 17:25 稿源:Techweb 手机扫描分享

IGBT 4.0,便被用于比亚迪新一代主力车型——百公里加速时间达到4.5秒的唐。这辆车每一次狂暴的动力输出背后,都有这枚比亚迪自研的IGBT的功劳。

中国电动车芯片冲破国外封锁!为了这一天,比亚迪憋了13年大招2562

比亚迪唐DM,百公里加速4.5秒

当然,技术是不断进步的。此前,国外IGBT已经经历了六次技术迭代,功率半导体基础的材料,也从硅(Si)、砷化镓(GaAs) ,进化到了碳化硅(SiC)。基于碳化硅打造的功率半导体,更能耐高温,可以承受更高的电压——这样,原本耐压能力不强的MOSFET,在用上碳化硅过后,能够支持的电压也能与现今车用的IGBT媲美。

而比亚迪已经研发出了基于碳化硅的MOSFET,明年便会推出搭载这一器件的电动车,车辆的电驱性能还会提升10%。往后,比亚迪计划在其新能源车产品中,逐步用碳化硅基的功率半导体替代硅基IGBT。

国外巨头统治IGBT市场 中国如何突破

实际上,比亚迪这样在新能源车用IGBT上取得突破的选手,在国内IGBT产业确实是凤毛麟角。

IGBT芯片按工作电压,大致分为1700V以下、1700V-3300V、3300V-6500V三类。

其中,工作电压等级在3300-6500V的IGBT主要对应发电、电力传输行业,1700-3300V的IGBT在高铁等轨道交通领域应用较多。

而1700V以下用途中,发展势头最猛的新兴产业,正是新能源车。

然而,目前IGBT的主要生产厂家,无一例外是国外公司,英飞凌、三菱、富士、安森美、德仪、ABB等霸占市场。

其中国内新能源车领域的IGBT市场,绝大多数份额仍然被国外半导体巨头英飞凌占据——这一数据一度达到70%。

在2016年全球销量TOP10的新能源车,有8款使用了英飞凌的IGBT,其中有我们无比熟悉的Model S/X,以及通用Bolt EV。英飞凌凭借垄断优势,攫取高额利润,IGBT成本居高不下。

而比亚迪的IGBT 4.0推向市场、应用于车型上,则代表了一支重要的国产力量,加入到了这场新能源车核心技术、核心器件的竞赛当中来。

在更早之前,中车集团在2014年,完成了高铁用IGBT的研发、生产,打破了三菱在这一领域的统治,不仅实现了自产自用,还随高铁项目的对外输出开始向国外供货。

比亚迪与中车,俨然成为了国产IGBT生产应用的双子星。

在这背后,国内的(高压)IGBT产业链,在下游急切的应用需求下,也开始逐步建立起来,士兰微、华微、华虹、先进半导体等等一系列IGBT的IC设计、晶圆制造公司也成长起来,国内的IGBT产业链正在初步成型。而比亚迪自身,也表态将会对外开放其IGBT供货。

在一个产业集群形成后,中国的IGBT乃至更多类型的功率半导体,将有更充足的底气与国外巨头抗衡。

新能源车关键领域 中国全面进入自主知识产权时代

借由比亚迪对IGBT4.0的发布,车东西也关注到,从芯片到电池到电机,在更加底层、基础的新能源车关键技术领域,中国正在全面进入自主知识产权时代:

前有宁德时代、比亚迪在动力电池的技术与规模上的优势建立;

中有精进电动、上海电驱动等电机企业在中国本土市场上的胜利;

现有比亚迪在IGBT等功率半导体上的大步向前;

未来还可能会有百度等领军企业以及其他芯片创业公司在AI芯片上的突破。

在智能电动车上,中国企业掌握的技术越来越往高端、底层进发,越来越能与国外的公司一较高下。

看到了这一点,就不难理解,为何智能电动车总被认为是“换道超车”的中国机会。

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